北京MPW服务中心可以提供的工艺介绍如下：
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Foundry |
Feature size (um) |
Poly/Metal |
Operation Volt (Core/ IO) |
Outline |
Process ID |
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SMIC |
0.35 |
1P4M |
3.3/5V |
Logic (Polycide and Silicide) |
SMIC |
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2P4M |
3.3/5V |
Mixed Signal Polycide |
SMIC |
|
2P3M |
3.3/5V |
EEPROM |
SMIC |
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0.25 |
2P5M |
2.5/3.3V |
Mixed Signal/RF (Logic base + Median/ Low / Zero /
native transistor + MIM + DNW + Induct) |
SMIC |
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0.18 |
1P6M |
1.8/3.3V |
Logic |
SMIC |
|
1P6M |
1.8/3.3V |
Mixed Signal |
SMIC |
|
1P4M |
1.8/5V, 40V |
HV |
SMIC |
|
1P4M |
1.8/3.3V |
Mixed Signal /CIS |
SMIC |
|
2P4M |
1.8/3.3V |
EEPROM |
SMIC |
|
0.15 |
1P7M |
1.5/3.3V |
Mixed Signal |
SMIC |
|
1P7M |
1.2/3.3V |
Logic |
SMIC |
|
0.13 |
1P8M |
1.2/2.5V(3.3V) |
Logic/Mixed Signal |
SMIC |
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0.09 |
1P9M |
1.2/2.5V(3.3V) |
Logic/Mixed Signal |
SMIC |
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TSMC |
0.18 |
1P6M |
1.8V/3.3V |
Logic, Generic/Mixed Signal Salicide |
Tsmc |
|
0.25 |
1P5M |
2.5V/3.3V |
Logic,Generic Salicide |
Tsmc |
|
|
|
2.5V/3.3V |
Mixed-mode Salicide |
Tsmc |
|
0.35 |
2P5M |
2.5V/3.3V |
Logic，Mixed－signal |
Tsmc |
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HJTC |
0.18 |
1P6M |
1.8/3.3V |
Std.
Logic/ Low Leakage/
MixMode/
RFCMOS(20K)/eFlash |
HJTC |
|
Chartered |
0.35 |
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Logic, RF/MS, OTP, HV or EEPROM |
Chartered |
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0.25/0.22 |
|
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Logic, RF/MS |
Chartered |
|
0.18 |
|
|
Logic, RF/MS |
Chartered |
Process ID: TSMC
TSMC 0.35um，0.25um
1P5M，0.18um 1P6M的CMOS工艺，提供：
1．Design
Rule, Spice Parameter，Design
kits
2．标准单元库，I/O库
3．Memory
Generators
4．常用IP,
Library
Process ID: SMIC
目前，中芯国际的多项目晶圆服务技术工艺涵盖0.35微米到90纳米，产品为逻辑、混合信号/射频电路以及电可擦除只读存储器技术等。
中芯国际的多项目晶圆服务也包括标准监控（标准静态存储器以及电可擦除只读存器），能够迅速检查验证在制作过程及产品设计中的缺失，避免时间上的延迟。在后段封装技术上，则由我们的合作伙伴提供，如:
四方扁平封装(Quad Flat
Pack)以及小外形四方扁平封装(Low-Profile
Quad Flat Pack)。
Process ID:
HJTC
0.18um工艺提供：
1．Design
Rule, Spice Model
2．Standard
Cell，I/O Library
3．SRAM(1P,2P),
ROM
4.
常用IP数据库
5.
详细工艺介绍请查看
http://www.hjtc.com.cn
Process ID:
chartered
新加坡CHARTERED的MPW有0.35um，0.25um，0.18um，0.13um四种CMOS工艺可以选择。CHARTERED可以提供：
1． Design Rule,
Spice Parameter, ET, EP…
2． Design Kit,
PDK,LVS,DRC,LPE
(详情请参看process
feature)
合作伙伴
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